Samsung Electronics повідомила про початок постачання мікросхем пам’яті нового покоління HBM4 неназваним клієнтам. Компанія намагається посилити позиції на ринку компонентів для систем штучного інтелекту, де попит стрімко зростає через будівництво дата-центрів.
Мікросхема HBM4
HBM (High Bandwidth Memory) – це тип оперативної пам’яті DRAM із високою пропускною здатністю. Вона використовується у прискорювачах для обробки великих масивів даних, зокрема в чіпах для навчання та роботи моделей штучного інтелекту. Основним замовником таких рішень є Nvidia.
Samsung раніше відставала від конкурентів у сегменті попереднього покоління HBM. Тепер компанія заявляє, що HBM4 забезпечує стабільну швидкість обробки даних на рівні 11,7 гігабіта за секунду, що на 22% більше порівняно з HBM3E. Максимальна швидкість може сягати 13 гігабіт за секунду. За даними компанії, це дозволяє зменшити вузькі місця в передачі даних у системах штучного інтелекту.
У другій половині року Samsung планує поставити зразки наступної версії – HBM4E.
А тим часом конкуренція на ринку посилюється. SK Hynix раніше заявила про намір зберегти домінуючу частку у виробництві HBM4 і наростити потужності до рівня HBM3E. Micron також повідомила про перехід до масового виробництва HBM4 та початок постачань клієнтам.