Компанії SK hynix та TSMC оголосили про укладення меморандуму про співпрацю щодо виробництва наступного покоління пам’яті HBM, HBM4. Згідно з домовленістю, масове виробництво HBM4 розпочнеться в 2026 році.
Цей крок дозволить компанії SK hynix зберегти свої лідерські позиції на ринку, а також зміцнить партнерство з TSMC, що залишається єдиною компанією, здатною упаковувати пам’ять HBM за методом CoWoS, важливому для прискорювачів обчислень Nvidia.
За даними TrendForce, у поточному році SK hynix збере більше половини ринку мікросхем типу HBM, забезпечуючи 52,5% ринкової частки. Після впровадження HBM4 ця позиція може зміцнитися, враховуючи зростання популярності цього типу пам’яті в сегменті DRAM.
Необхідність розширення потужностей упаковки пам’яті відзначена й у планах компанії TSMC, яка намір до десяти відсотків капітальних витрат на це напрямок. Це рішення відповідає на попит ринку на прискорювачі обчислень Nvidia та системи штучного інтелекту, допомагаючи зменшити дефіцит у цьому сегменті.
Згідно з аналізом, минулорічна частка HBM у сегменті DRAM склала трохи більше 8,4%, проте очікується, що до кінця поточного року цей показник зросте до 20,1%, що вказує на стрімкий розвиток та використання цього типу пам’яті у високотехнологічних системах.