Південнокорейський виробник напівпровідників SK hynix представив AI-NAND (AIN) Family – лінійку флеш-пам’яті, створену спеціально для потреб штучного інтелекту. Презентація відбулася під час Глобального саміту Open Compute Project 2025 у Сан-Хосе, Каліфорнія.
Нова розробка AI-NAND
Розробка демонструє вагомі зміни у підході до NAND-пам’яті. Тепер у полі зору карт пам’яті активна інтеграція штучного інтелекту, який потребує більшої швидкості, пропускної здатності та енергоефективності.
Керівник напряму eSSD у SK hynix Чун Сунг Кім представив три основні рішення серії AIN:
- AIN P (Performance) – для високопродуктивних навантажень штучного інтелекту, з акцентом на мінімізацію затримок між сховищем і процесорами. Вихід зразків очікується наприкінці 2026 року.
- AIN D (Density) – рішення для надщільного зберігання великих наборів даних із низьким енергоспоживанням. Завдяки технології QLC (Quad-Level Cell), компанія планує перейти з рівня терабайтів до петабайтного масштабу.
- AIN B (Bandwidth) – побудований на основі фірмової High Bandwidth Flash (HBF), що об’єднує принципи HBM-пам’яті з економічною NAND. Це забезпечує вищу пропускну здатність при менших витратах.
Під час саміту компанія SK hynix і SanDisk провели спільний захід HBF Night. Він став продовженням серпневої угоди про співпрацю у стандартизації технології HBF. Подія об’єднала провідних інженерів і науковців галузі, які обговорили спільні стратегії розвитку оптимізованих ШІ-систем зберігання.