Компанія Samsung Electronics збирається революціонізувати ринок напівпровідникових пристроїв, оголошуючи про масове виробництво 290-шарових чипів флеш-пам’яті 9-го покоління 3D V-NAND вже цього місяця.
За інформацією південнокорейського видання Hankyung, компанія досягла нового прориву в технології виробництва, використовуючи метод подвійного штабелювання, що дозволяє сполучати дві кремнієві пластини з масивом чипів 3D NAND, а не три, як раніше вважалося необхідним.
Цей крок перевершує очікування відносно технічних обмежень і піднімає планки для індустрії напівпровідників. Нова технологія, за словами Samsung, забезпечить значні покращення продуктивності та щільності даних у флеш-пам’яті, що сприятиме подальшому розвитку сучасних пристроїв.
Процес виробництва не зупиняється на цьому: вже наступного року Samsung планує перейти до 430-шарових чипів, використовуючи технологію трьох пластин.
Проте, Samsung не єдиний у своїй стрімкій гонці за технологічними досягненнями. Конкуренти, такі як компанії SK hynix і YMTC, також активно розширюють свої можливості, готуючись до масового випуску нових продуктів.