На нещодавній конференції IEDM 2023, компанія Micron вразила світ інноваційною розробкою – кристалом пам’яті FeRAM рекордного об’єму 32 Гбіт.
Пам’ять FeRAM, яка вже завоювала популярність завдяки своїм унікальним властивостям, таким як висока швидкодія, подовжений термін утримання даних і стійкість до зносу, тепер стає справжньою перлиною в світі інновацій.
Новинка Micron працює швидше за пам’ять NAND, наближаючись за цим показником до оперативної пам’яті DRAM.
Однією з ключових переваг є інноваційна стійкість до радіації, магнітних полів і стрибків температури, що робить FeRAM непохитною в аерокосмічних системах та верстатах.
FeRAM досі не знайшла широкого застосування через низьку щільність розміщення осередків. Тим не менше, величезний 32-Гбіт кристал Micron може змінити картину та відкрити нові можливості, особливо у розвитку генеративних моделей штучного інтелекту.
Чипи FeRAM Micron обіцяють революцію у швидкості запису, досягаючи 70-120 наносекунд, що порівняно з 300 мікросекундами циклу запису NAND, робить їх вельми ефективними для високопродуктивних застосувань.
Однією з ключових властивостей є зносостійкість, де чип Micron витримує до 1015 циклів перезапису, значно перевершуючи конкурентів. Така висока стійкість до зносу робить FeRAM ідеальною для зберігання даних, перевершуючи навіть чипи NAND та 3D XPoint.