Науковці з Фуданського університету презентували проривну технологію — нову флеш-пам’ять PoX, здатну здійснювати до 25 мільярдів операцій щосекунди. Цей показник став абсолютним рекордом у галузі енергонезалежного зберігання даних.
Про це повідомляє interestingengineering.
Головна особливість PoX — надшвидкий запис: усього 400 пікосекунд на один біт (0.0000000004 секунди). Для порівняння, поширені типи оперативної пам’яті на зразок DRAM або SRAM працюють у діапазоні 1–10 наносекунд, але втрачають усі дані при вимкненні живлення. Флеш-пам’ять, навпаки, надійно зберігає інформацію без живлення, однак швидкість її запису набагато нижча — у межах мілісекунд. Така затримка критична для систем зі штучним інтелектом, які оперують гігантськими обсягами даних у режимі реального часу.
Команда під керівництвом професора Чжоу Пена розробила нову архітектуру пам’яті, повністю відмовившись від класичних кремнієвих каналів. Їх замінили на двовимірний матеріал — графен Дірака, що має видатні провідникові властивості. Маніпулюючи гаусовою довжиною каналу, вчені домоглися явища, яке назвали “двовимірною суперінжекцією”: різкий імпульс заряду проникає у накопичувальний шар, ефективно минаючи класичні обмеження традиційних схем.
Професор Чжоу наголосив, що команда застосувала штучний інтелект для оптимізації розробки, що дозволило наблизитись до граничних фізичних можливостей сучасної енергонезалежної пам’яті. PoX здатна функціонувати повністю автономно — без підтримки джерела живлення, що робить її ідеальною для портативних пристроїв та мініатюрної ШІ-електроніки, де критично важливі енергоефективність і автономність.
У випадку масштабного впровадження PoX може повністю замінити кеш-пам’ять типу SRAM у мікропроцесорах, зменшуючи не лише енергоспоживання, а й фізичний розмір чипів. Це відкриває шлях до нової ери продуктивних і компактних пристроїв — від смартфонів до потужних ультрабуків і нейронних систем без потреби постійного перезапуску.
Наразі тривалість експлуатації й пікова продуктивність PoX ще не оцінені. Проте використання графенових структур забезпечує високу сумісність з іншими двовимірними матеріалами, що відкриває перспективи для подальших експериментів. Дослідники вже працюють над масштабуванням архітектури та тестують її в багатоканальних масивах пам’яті.