В останньому випуску журналу Nature вчені з Південної Кореї розкрили деталі свого останнього досягнення в області пам’яті, яке може революціонізувати сферу комп’ютерних технологій. Нова розробка представляє собою PCM-пам’ять, яка поєднує в собі швидкість динамічної оперативної пам’яті (DRAM) та незалежність від живлення, характерну для NAND-флеш-пам’яті.
PCM-пам’ять базується на принципі фазового переходу, де осередок може переходити між аморфним і кристалічним станами, що відповідають вимкненому і ввімкненому станам відповідно. Новий технологічний процес, розроблений вченими з Факультету електротехніки університету KAIST, дозволяє виробляти таку пам’ять електричним методом з розмірами переходу всього 5 нм.
Прототип нової PCM-пам’яті вже показав вражаючі результати: споживання енергії на 15 разів менше, ніж у сучасних аналогів. Це відкриває широкі можливості для використання цієї технології в різних сферах, включаючи створення високощільних тривимірних вертикальних пам’ятей та нейроморфних обчислювальних систем.
За словами вчених, це досягнення може стати ключовим кроком у напрямку розвитку електроніки майбутнього, забезпечуючи ефективніші та потужніші системи зберігання та обробки даних.